دانلود مقاله ORCAD پلی میان کامپیوتر و الکترونیک

Word 736 KB 4973 24
مشخص نشده مشخص نشده کامپیوتر - IT
قیمت قدیم:۱۶,۰۰۰ تومان
قیمت: ۱۲,۸۰۰ تومان
دانلود فایل
  • بخشی از محتوا
  • وضعیت فهرست و منابع
  •  برای سیم کشی کردن قطعات :

     بر روی گزینه PLAC WIR  که به شکل  است در منوی سمت راست کلیک می کنیم باید توجه داشت که درکلیه مدارها باید از ارت (زمین) استفاده کرد

    وارد کردن واحد کلیه قطعات :

    N (نانو)        U (میکرو)            p (پیکو)           MEG (مگا )                 M (میلی )

    برای وارد کردن مقادیر عناصر روی عددی که به صورت پیش فرض جلوی انها نوشته دابل کلیک می کنیم آنالیز کردن مدار ترسیم شده : بعد از کشیدن مدار باید ان را انالیز کنیم برای این کار روی گزینه                   NEW SUMALAITON  PROFILE  در نوار بالای نرم افزار کلیک می کنیم پنجره ای باز می شود که از ما نامی  میخواهد ان نام را وارد می کنیم وگزینه CREATE را می زنیم . پنجره به نام

    SUMA  LAITON  SETTING  باز می شود و به صورت پیش فرض در سر برگ ANALYSIS قرار دارد .چنانچه مدار طراحی شده دارای مقادیر DC است در قسمت ANALGSIS   TYDE گزینه BIAS  POINT (این انالیز می تواند مدار را به صورت DC بررسی کند .) را انتخاب کرده وOKمی کنیم برای اعمال کردن تنظیمات روی گزینه RUN کلیک می کنیم  حال با کلیک کردن روی کلید های    

    در همین نوار ابزار می توانیم مقادیر جریان ولت وتوان محاسبه شده توسط نرم افزار را ببینیم  .

    نکته 1 : در صورت استفاده از منابع وابسته باید به این نکته توجه کنیم که منبع ولتاژ یا جریانی که در دایره است تولید کننده است ومنبع دیگر باید به نقطه ای وصل شود که می خواهیم وابستگی به انجا را نشان دهیم  نکته2 : در استفاده از قطعات چنانچه از کتابخانه های غیر از پوشه PSPICE استفاده کنیم ممکن است در هنگام کار ERROR بدهد پس بهتر است از قطعات این پوشه استفاده کنیم .

    نکته 3: برای تغییر ضرایب منابع وابسته روی منبع دابل کلیک می کنیم و در قسمت GAIN   ضریب مورد نظر را تایپ می کنیم .

    مراحل نصب وچگونگی استفاده از نرم افزار

     

     

    برای جستجو کردن قطعه:

    برای جستجو کردن قطعه باید اینگونه عمل کرد             *  (نام قطعه  مورد نظر )   مثال           *Q2N2219

    برای جابجا کردن قطعه: به وسیله موس میتوان ان را دراگ کرد ویا بعداز انتخاب ان با کلید های چهار جهته این کار را انجام داد .همچنین برای چرخاندن قطعه به صورت افقی یا عمودی می توان طبق زیر عمل کرد...

                                                    (1) عمودی MIROR VERTICALLY  

    انتخاب قطعه◄کلیک راست

                                                    (2)افقی      MIROR HORIZANTALLY  

     

     

    در مورد منابع وابسته :

     

           

    E : منبع ولتاژ وابسته به ولتاژ

     

     

    F : منبع جریان وابسته به جریان

     

     

    G : منبع جریان وابسته به ولتاژ

     

     

    H : منبع ولتاژ وابسته به جریان

     

     

     

    آنالیز BAIS  POINT

     

     

    کار عملی (1) :آنالیز BAIS  POINT

    مدار های شکل زیر را تو سط انالیز  BAIS POINT تحلیل کرده وهر کدام را با نام متفاوت ذخیره  کنید . BAIS POINT  برای تحلیل وآنالیز کردن مدار های    DC است . ابتدا هر یک از این مدارها را توسط فرمول های مختلف حل کرده و مقادیر خواسته شده را از این فرمول ها به دست اورید

     

    TEST1   I1,I2,I3=?                                                            

     I1=15                           

         Kvl2:2I2=3(I2-I3)+1(I2-I1)=0  6I2-3I3=15

         KCL:I3=I1+Vx/9

          Vx=3I3-3I2              

                           

    I3=15+1/9(3I3-3I2)=  I3=15+1/3 I3 -1/3I2-1/3I2-2/3I3+15=0

    -1/3I2-2/3I3+15= 0  →-1/3I2-2/3I3= -15

             6I2-3I3=15                              6I2-3I3=15

            -1/3I2-2/3I3= -15         →       -6I2-12I3=-270      →   I3=-255/-15=17    I3=17

         

     I2=?      6I2-(3*17)=15          →  I2=15+(3*17)/6=11       I2=11

     

     

     

     

    TEST 2        V1,V2,V3 = ?                                                               

        KCL1:-4.8+V1/7.5+(V1-V2)/2.5=0

        SN: V1-V2/2.5+V2/10+V3/2.5+V3-12/1=0

         =4V1-4V2+V2+4V3+10V3-120=0

         SN: V3-V2=IX کمکی

         IX=V1/7.5 کمکی

     

    جایگذاری7.3*(V3-V2=V1/7.5)  →  7.5V3-7.5V2=V1    →   7.5V3-7.5V2-V1=0

    ادامه صفحه بعد....

    آنالیز BAIS  POINT

     

     

    حال باید معادله سه مجهولی زیر را از طریق روش کرامر حل کنیم.در نهایت جواب برابر می شود...

    Kvl: 4V1-3V2=36                                       V1=15

    SN: -4V1+5V2+14V3=120                        V2=8    

            -V1-7.5V2+7.5V3=0                           V3=10  

     

     

     

     

     TEST3         VAB= ?         I=?                                                                        

          VAB= VCD=  -20I * 25(-500I)

           KVL : -5+2000I+3( -500I)=0

     

      -5+2000I-1500I=0  →  I=5/500=.01A  →   VAB=-500*.01=-5       I=.01         VAB=-5

                                                                                                  

     

     

    TEST1   I1,I2,I3=?

    I1=15

    I2=11

     I3=17           

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

    TEST 2        V1,V2,V3 = ?

     

    V1=15

     

     V2=8

     

    V3=10

     

     

     

     

     

    آنالیز BAIS  POINT

     

     

     

     

     

    TEST3         VAB= ?         I=?

     

      I=.01

     

      VAB=-5

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

    TEST5

    Vce:8.9 mA

     

    Ic:33.56mA

     

    IB:?31.06mA           

     

     

                                                                                                                                                       

     

     

    آنالیز TIME DOMAIN

     

    کار عملی (2) :آنالیز TIME DOMAIN                              

     

    در انالیز قبلی چنانچه بخواهیم VTHمدار را محاسبه کنیم فقط می توانستید ولتاژ عناصر را نسبت به زمین محاسبه کنید . در این انالیزبه وسیله پراب هایی که در نوار RUN است می توانیم این کار را به راحتی انجام دهیم یعنی ولتاژ نقطه (A.B) یا VTH را به راحتی توسط این پراب ها به دست اورد.این پرابها عبارتند ...  

     

                    این پراب می تواند ولتاژ نقطه مورد نظررا نسبت به زمین محاسبه کند

     

                    این پراب برای  محاسبه ولتاژ بین دو نقطه نسبت به هم میباشد 

                    این پراب برای  محاسبه جریان عبوری از یک عنصر استفاده میشود

     

                    این پراب برای  محاسبه توان مصرفی یا اعمالی به مدار استفاده میشود 

    نکته مهم:  با توجه به این که RTH= VTH /ISC و ISC  اتصال کوتاه است وهمچنین با توجه به این که پراب محاسبه جریان باید در محل اتصال عنصر وسیم قرار گیرد برای محاسبه ISC  یک مقاومت خیلی کم در مدار میگزاریم وجریان را به دست می اوریم .

    هنگامی که گزینه TIM E DOMANTرا در منوی ANALYSIS TYPE انتخاب می کنیم گزینه هایی وجود دارد واز ما می خواهد که تکمیل کنیم . این گزنیه ها عبارتند از...

     

    RUN TO TIME :بازه زمانی که شکل موج را نشان میدهد

    START SAVING DATA AFTTER :زمان شروع نشان دادن شکل موج

     

    MAXIMUM STEP SIZE :مقدار دقت در ترسیم شکل موج(هرچه کمتر باشد دقت ان بیشتر است)

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

    Rth=Vth/Isc= 40/10mA = 4000 = 4 kΩ

     

     

     

    Rth=Vth/Isc= 200k/2m=100Ω

     

     

       

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

    آنالیز DC SWEEP

      کار عملی (3) :آنالیز DC SWEEP  :توسط این انالیز می توان منحنی مشخصه نیمه هادی هایی همانند دیود معمولی دیود زنر ترانزیستورBJT ترانزیستورJFET ومنحنی مشخصه های نیمه ورودی انتقالی و خروجی و همچنین قضیه انتقال توان ماکزمیم می پردازیم .

    همانطور که میدانیم برای اینکه در یک شبکه الکتریکی پیچیده یا ساده خطی ماکزیمم توان به مصرف کننده منتقل شود, باید مقاومت مصرف کننده رابرابر مقاومت تونن قرار دهیم  که این کار توسط آنالیز DC SWEEP انجام میشود.لذا مراحل زیر را در نظر می گیریم...

    1):مدار مورد نظر رادر صفحه اصلی رسم می کنیم . 2): از کتابخانه SPECIAL قطعه PARAM را اورده و در کنار مدار رسم شده قرار می دهیم. این قطغه به مدار وصل نمی شود با دابل کلیک روی این قطعه(NEWCOLUM) را انتخاب کرده ویک نام مناسب را برای NAME انتخاب نموده  RL  و عدد 1 را در VALUE انتخاب نموده وبا تایید ان در صفحه مربوطه ستونی اضافه شده و مقدار  RL  1 در نظر گرفته شده است. سپس از این صفحه خارج شده و به صفحه اصلی باز می گردیم . 3): از روی مسئله نام مقاومتی که آن را به عنوان مقاومت بار در نظر گرفته ایم کلیک کرده و به صورت {RL} می نویسیم وهمچنین بروی مقدار پیشفرض 1KΩ این گونه وارد می کنیم. 4):پراب توان(W)  بروی مقاومت RL قرار می دهیم. 5): ضمن انتخاب نامی برای انالیز نوع آنالیز راDC SWEEP انتخاب می کنیم و در همین صفحه گزینه GLOBAL PARAMETER را علامت دار کرده و در قسمت PARAMETER NAME نام RL را می نویسیم ومقادیر مناسبی برای قسمت SWEEP TYPE یادداشت می کنیم.

    توجه داشته باشید که مقدار شروع باید عددی غیر از صفر باشد و با یادداشت مقدار پایان ومقدار دقت, انها را تایید کرده واز صفحه خارج می شویم و در نهایت مدار را RUN می کنیم.

    در جدول کشیده شده محور افقی انگر مقاومت RL و محور عمودی بیانگر توان می باشد.

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

    آنالیز DC SWEEP

       

    کار عملی (4) :کاربردهای دیگر آنالیز DC SWEEP :همانطور که در جلسه قبل توضیح داده شد یکی از کاربردهای آنالیز DC SWEEP رسم منحنی مشخصه دیودها است. در این جلسه به بررسی چگونه دست آوردن منحنی دیود زنر 1N4617 همچنین به دست اوردن ولتاژ هدایت و ولتاژ سوختن دیود معمولی1N4001 می پردازیم.

    1): منحنی ولتاژ دیود زنر1N4617 :

    1): ابتدا مدار روبرو را رسم می کنیم(نکته: نیازی به دادن مقدار به منبع نیست)

    2): وارد آنالیز DC SWEEP شده و در قسمت VOLTAGE SOURCE نام منبع

     

    ولتاژ (V1) را وارد می کنیم. 3): همان طور که می دانید یک دیود زنر در

    بایاس مستقیم کاملا همانند دیود معمولی عمل می کند و ولتاژ دو سر ان هم

     مانند دیودمعمولی است.ولی در بایاس معکوس هنگامی که ولتاژآند کاتد

    آن (VAK)  به حد معینی رسید در بایاس معکوس شروع به هدیت می کند .

    از این رو برای مشاهده منحنی ولتاژ ان طبق انچه گفته شد باید ولتاژ شروع را عددی بزرگ و منفی (مثلا 45) و مقدار پایان را عددی بزرگتر از 7/0 درنظر بگیریم. 4): با توجه به اینکه منحنی ولتاژ دیود زنر، تغییرات جریان دیود ( ID) را نسبت به ولتاژ آند کاتد(VAK) مورد بررسی قرار می دهد،پس باید خط افقی یا محور X بر حسبVAK و محور عمودی یا محورY بر حسب ID باشد .

    حال برای تعیین محورX به منظور VAK وارد مسیرPLOT ◄AXIS SETTING شده وسپس در سربرگ XAXIS گزینه AXIS VARIABLE رازده در پنجره X AXIS VARIBLE  ولتاژ آند کاتد را بصورت فورمول روبرو تایپ کرده وOK  می کنیم.(شکل صفحه بعد)   V(D1:A)-V(D1:K)         

  • فهرست:

    ندارد.


    منبع:

    ندارد.
     

شهر الکترونيک يک اختراع و يا يک پيشنهاد نوآورانه نيست بلکه واقعيتي است که بر اساس نياز جاي خود را باز مي‌کند اگر امروز چشم خود را بر نياز ببنديم فردا بايد با پرداخت هزينه بيشتر قدم در اجراي آن بگذاريم شهر الکترونيک چيست؟ شهر الکترون

نانوتکنولوژی چیست؟ کامپیوتر ها اطلاعات را تقریبا" بدون صرف هیچ هزینهأی باز تولید مینمایند. اقداماتی در دست اجراست تا دستگاههایی ساخته شوند که تقریبا" بدون هزینه - شبیه عمل بیتها در کامپیوتر - اتمها را به صورت مجزا بهم اضافه کنند ( کنار هم قرار دهند). این امر ساختن اتوماتیک محصولات را بدون نیروی کار سنتی همانند عمل کپی در ماشینهای زیراکس میسر میکند. صنعت الکترونیک با روند کوچک ...

پنج سال وقت صرف ويندوز ويستا شد، خطوطي از کد که براي چندين بار پوشاندن کره خاکي کافي است، هزاران ساعت از وقت توسعه‌دهندگان و برنامه‌نويسان که براي نگهداري و بررسي همه آنها به يک سوپرکامپيوتر نياز داشتند – و سرانجام ويندوز ويستا (Vista) ارائه شد. و

واحد کنترل تلويزيون از راه دور (RCU) کنترل از راه دور بخشي از دستگاه هاي الکترونيک، معمولا مجموعه اي از تلويزيون، دي وي دي پلير و سيستم هاي سينماي خانگي در اصل براي کار با دستگاه تلويزيون بي سيم از يک فاصله کوتاه خط چشم استفاده مي شود. کنترل از راه

نانوتکنولوژی چیست؟ نانوتکنولوژی تولید کارآمد مواد و دستگاهها و سیستمها با کنترل ماده در مقیاس طولی نانومتر، و بهره برداری از خواص و پدیده های نوظهوری است که در مقیاس نانو توسعه یافته اند. یک نانومتر چقدر است؟ یک نانومتر یک میلیاردم متر (9-m 10) است. این مقدار حدوداً چهار برابر قطر یک اتم است. مکعبی با ابعاد 5/2 نانومتر ممکن است حدود 1000 اتم را شامل شود. کوچکترین IC های امروزی ...

نانو تکنولوژی، فناوری نوین نانو تکنولوژی فناوری جدیدی است که تمام دنیا را فراگرفته است و به تعبیر دقیقتر "نانو تکنولوژی بخشی از آینده نیست بلکه همه آینده است ".در این مقاله بعد از تعریف نانو به بیان دلایل کاربرد ها و ضرورتهای توجه به این فناوری اشاره شده است . تعریف نانو تکنولوژی نانو تکنولوژی،توانمندی تولید مواد،ابزار ها و سیستمهای جدید با در دست گرفتن کنترل در سطح مولکولی و ...

نانوتکنولوژی مقدمه دل هر ذره را که بشکافی آفتابیش در میان بینی که یکی هست و نیست جز او وحده و لا اله الا هو بشر برای رسیدن به کمال راههای مختلفی را تجربه کرده و می کند و هر راه رسیدن را نامی داده و از آن جمله است:علوم طبیعی،علم ماوراءالطبیعه و ... اگر باور داشته باشیم هر ذره که خلق شده رسیدن به کمال را بزرگترین هدف خود قرار داده است پس علوم مختلف یاد شده در پی جستجوی کمال هستند ...

آزمايش شماره ي 1 Orcadآشنائي با نرم افزار درزمينه الکترونيک به کارمي رودکه سه کارمهمي راکه انجام مي دهدعبارتOrcadنرم افزار انداز: 1- رسم شماي ظاهري مدار 2- تحليل مدارات الکترونيکي 3- طراحي پشت فيبرمدارات الکترونيکي : Orcad درCaptureبررسي قا

در دنياي امروز که ارتباطات جزء لاينفک زندگي بشري شده است،وفضاي مجازي فاصله هاي ميليون کيلومتري بين افراد را از ميان برداشته است،برخي مشکلات مثل اختلالات ارتباطي وويروسهاي اينترنتي اختلالاتي را در اين فضا ايجاد نموده ومانع از جابجايي بهينه ي اطلاعات

نانوتکنولوژی، فناوری جدید است که تمام دنیا را فرا گرفته است و به تعبیر دقیقتر "نانوتکنولوژی بخشی از آینده نیست بکله همه آینده است" . در این نوشتار بعد از تعریف نانوتکنولوژی و بیان کاربردهای آن دلایل و ضرورتهای توجه به این فناوری آورده شده است: تعریف نانوتکنولوژی و آشنایی با آن نانوتکنولوژی، توانمندی تولید مواد، ابزارها و سیستمهای جدید با در دست گرفتن کنترل در سطوح ملکولی و اتمی ...

ثبت سفارش
تعداد
عنوان محصول