دانلود مقاله ORCAD پلی میان کامپیوتر و الکترونیک

Word 736 KB 4973 24
مشخص نشده مشخص نشده کامپیوتر - IT
قیمت قدیم:۱۶,۰۰۰ تومان
قیمت: ۱۲,۸۰۰ تومان
دانلود فایل
  • بخشی از محتوا
  • وضعیت فهرست و منابع
  • برای سیم کشی کردن قطعات : بر روی گزینه PLAC WIR که به شکل است در منوی سمت راست کلیک می کنیم باید توجه داشت که درکلیه مدارها باید از ارت (زمین) استفاده کرد وارد کردن واحد کلیه قطعات : N (نانو) U (میکرو) p (پیکو) MEG (مگا ) M (میلی ) برای وارد کردن مقادیر عناصر روی عددی که به صورت پیش فرض جلوی انها نوشته دابل کلیک می کنیم آنالیز کردن مدار ترسیم شده : بعد از کشیدن مدار باید ان را انالیز کنیم برای این کار روی گزینه NEW SUMALAITON PROFILE در نوار بالای نرم افزار کلیک می کنیم پنجره ای باز می شود که از ما نامی میخواهد ان نام را وارد می کنیم وگزینه CREATE را می زنیم .

    پنجره به نام SUMA LAITON SETTING باز می شود و به صورت پیش فرض در سر برگ ANALYSIS قرار دارد .چنانچه مدار طراحی شده دارای مقادیر DC است در قسمت ANALGSIS TYDE گزینه BIAS POINT (این انالیز می تواند مدار را به صورت DC بررسی کند .) را انتخاب کرده وOKمی کنیم برای اعمال کردن تنظیمات روی گزینه RUN کلیک می کنیم حال با کلیک کردن روی کلید های در همین نوار ابزار می توانیم مقادیر جریان ولت وتوان محاسبه شده توسط نرم افزار را ببینیم .

    نکته 1 : در صورت استفاده از منابع وابسته باید به این نکته توجه کنیم که منبع ولتاژ یا جریانی که در دایره است تولید کننده است ومنبع دیگر باید به نقطه ای وصل شود که می خواهیم وابستگی به انجا را نشان دهیم نکته2 : در استفاده از قطعات چنانچه از کتابخانه های غیر از پوشه PSPICE استفاده کنیم ممکن است در هنگام کار ERROR بدهد پس بهتر است از قطعات این پوشه استفاده کنیم .

    نکته 3: برای تغییر ضرایب منابع وابسته روی منبع دابل کلیک می کنیم و در قسمت GAIN ضریب مورد نظر را تایپ می کنیم .

    مراحل نصب وچگونگی استفاده از نرم افزار برای جستجو کردن قطعه: برای جستجو کردن قطعه باید اینگونه عمل کرد * (نام قطعه مورد نظر ) مثال *Q2N2219 برای جابجا کردن قطعه: به وسیله موس میتوان ان را دراگ کرد ویا بعداز انتخاب ان با کلید های چهار جهته این کار را انجام داد .همچنین برای چرخاندن قطعه به صورت افقی یا عمودی می توان طبق زیر عمل کرد...

    (1) عمودی MIROR VERTICALLY انتخاب قطعه◄کلیک راست (2)افقی MIROR HORIZANTALLY در مورد منابع وابسته : E : منبع ولتاژ وابسته به ولتاژ F : منبع جریان وابسته به جریان G : منبع جریان وابسته به ولتاژ H : منبع ولتاژ وابسته به جریان آنالیز BAIS POINT کار عملی (1) :آنالیز BAIS POINT مدار های شکل زیر را تو سط انالیز BAIS POINT تحلیل کرده وهر کدام را با نام متفاوت ذخیره کنید .

    BAIS POINT برای تحلیل وآنالیز کردن مدار های DC است .

    ابتدا هر یک از این مدارها را توسط فرمول های مختلف حل کرده و مقادیر خواسته شده را از این فرمول ها به دست اورید TEST1 I1,I2,I3=?

    I1=15 Kvl2:2I2=3(I2-I3)+1(I2-I1)=0 6I2-3I3=15 KCL:I3=I1+Vx/9 Vx=3I3-3I2 I3=15+1/9(3I3-3I2)= I3=15+1/3 I3 -1/3I2-1/3I2-2/3I3+15=0 -1/3I2-2/3I3+15= 0 →-1/3I2-2/3I3= -15 6I2-3I3=15 6I2-3I3=15 -1/3I2-2/3I3= -15 → -6I2-12I3=-270 → I3=-255/-15=17 I3=17 I2=?

    6I2-(3*17)=15 → I2=15+(3*17)/6=11 I2=11 TEST 2 V1,V2,V3 = ?

    KCL1:-4.8+V1/7.5+(V1-V2)/2.5=0 SN: V1-V2/2.5+V2/10+V3/2.5+V3-12/1=0 =4V1-4V2+V2+4V3+10V3-120=0 SN: V3-V2=IX کمکی IX=V1/7.5 کمکی جایگذاری7.3*(V3-V2=V1/7.5) → 7.5V3-7.5V2=V1 → 7.5V3-7.5V2-V1=0 ادامه صفحه بعد....

    آنالیز BAIS POINT حال باید معادله سه مجهولی زیر را از طریق روش کرامر حل کنیم.در نهایت جواب برابر می شود...

    Kvl: 4V1-3V2=36 V1=15 SN: -4V1+5V2+14V3=120 V2=8 -V1-7.5V2+7.5V3=0 V3=10 TEST3 VAB= ?

    I=?

    VAB= VCD= -20I * 25(-500I) KVL : -5+2000I+3( -500I)=0 -5+2000I-1500I=0 → I=5/500=.01A → VAB=-500*.01=-5 I=.01 VAB=-5 TEST1 I1,I2,I3=?

    I1=15 I2=11 I3=17 TEST 2 V1,V2,V3 = ?

    V1=15 V2=8 V3=10 آنالیز BAIS POINT TEST3 VAB= ?

    I=.01 VAB=-5 TEST5 Vce:8.9 mA Ic:33.56mA IB:?31.06mA آنالیز TIME DOMAIN کار عملی (2) :آنالیز TIME DOMAIN در انالیز قبلی چنانچه بخواهیم VTHمدار را محاسبه کنیم فقط می توانستید ولتاژ عناصر را نسبت به زمین محاسبه کنید .

    در این انالیزبه وسیله پراب هایی که در نوار RUN است می توانیم این کار را به راحتی انجام دهیم یعنی ولتاژ نقطه (A.B) یا VTH را به راحتی توسط این پراب ها به دست اورد.این پرابها عبارتند ...

    این پراب می تواند ولتاژ نقطه مورد نظررا نسبت به زمین محاسبه کند این پراب برای محاسبه ولتاژ بین دو نقطه نسبت به هم میباشد این پراب برای محاسبه جریان عبوری از یک عنصر استفاده میشود این پراب برای محاسبه توان مصرفی یا اعمالی به مدار استفاده میشود نکته مهم: با توجه به این که RTH= VTH /ISC و ISC اتصال کوتاه است وهمچنین با توجه به این که پراب محاسبه جریان باید در محل اتصال عنصر وسیم قرار گیرد برای محاسبه ISC یک مقاومت خیلی کم در مدار میگزاریم وجریان را به دست می اوریم .

    هنگامی که گزینه TIM E DOMANTرا در منوی ANALYSIS TYPE انتخاب می کنیم گزینه هایی وجود دارد واز ما می خواهد که تکمیل کنیم .

    این گزنیه ها عبارتند از...

    RUN TO TIME :بازه زمانی که شکل موج را نشان میدهد START SAVING DATA AFTTER :زمان شروع نشان دادن شکل موج MAXIMUM STEP SIZE :مقدار دقت در ترسیم شکل موج(هرچه کمتر باشد دقت ان بیشتر است) Rth=Vth/Isc= 40/10mA = 4000 = 4 kΩ Rth=Vth/Isc= 200k/2m=100Ω آنالیز DC SWEEP کار عملی (3) :آنالیز DC SWEEP :توسط این انالیز می توان منحنی مشخصه نیمه هادی هایی همانند دیود معمولی دیود زنر ترانزیستورBJT ترانزیستورJFET ومنحنی مشخصه های نیمه ورودی انتقالی و خروجی و همچنین قضیه انتقال توان ماکزمیم می پردازیم .

    همانطور که میدانیم برای اینکه در یک شبکه الکتریکی پیچیده یا ساده خطی ماکزیمم توان به مصرف کننده منتقل شود, باید مقاومت مصرف کننده رابرابر مقاومت تونن قرار دهیم که این کار توسط آنالیز DC SWEEP انجام میشود.لذا مراحل زیر را در نظر می گیریم...

    1):مدار مورد نظر رادر صفحه اصلی رسم می کنیم .

    2): از کتابخانه SPECIAL قطعه PARAM را اورده و در کنار مدار رسم شده قرار می دهیم.

    این قطغه به مدار وصل نمی شود با دابل کلیک روی این قطعه(NEWCOLUM) را انتخاب کرده ویک نام مناسب را برای NAME انتخاب نموده RL و عدد 1 را در VALUE انتخاب نموده وبا تایید ان در صفحه مربوطه ستونی اضافه شده و مقدار RL 1 در نظر گرفته شده است.

    سپس از این صفحه خارج شده و به صفحه اصلی باز می گردیم .

    3): از روی مسئله نام مقاومتی که آن را به عنوان مقاومت بار در نظر گرفته ایم کلیک کرده و به صورت {RL} می نویسیم وهمچنین بروی مقدار پیشفرض 1KΩ این گونه وارد می کنیم.

    4):پراب توان(W) بروی مقاومت RL قرار می دهیم.

    5): ضمن انتخاب نامی برای انالیز نوع آنالیز راDC SWEEP انتخاب می کنیم و در همین صفحه گزینه GLOBAL PARAMETER را علامت دار کرده و در قسمت PARAMETER NAME نام RL را می نویسیم ومقادیر مناسبی برای قسمت SWEEP TYPE یادداشت می کنیم.

    توجه داشته باشید که مقدار شروع باید عددی غیر از صفر باشد و با یادداشت مقدار پایان ومقدار دقت, انها را تایید کرده واز صفحه خارج می شویم و در نهایت مدار را RUN می کنیم.

    در جدول کشیده شده محور افقی انگر مقاومت RL و محور عمودی بیانگر توان می باشد.

    آنالیز DC SWEEP کار عملی (4) :کاربردهای دیگر آنالیز DC SWEEP :همانطور که در جلسه قبل توضیح داده شد یکی از کاربردهای آنالیز DC SWEEP رسم منحنی مشخصه دیودها است.

    در این جلسه به بررسی چگونه دست آوردن منحنی دیود زنر 1N4617 همچنین به دست اوردن ولتاژ هدایت و ولتاژ سوختن دیود معمولی1N4001 می پردازیم.

    1): منحنی ولتاژ دیود زنر1N4617 : 1): ابتدا مدار روبرو را رسم می کنیم(نکته: نیازی به دادن مقدار به منبع نیست) 2): وارد آنالیز DC SWEEP شده و در قسمت VOLTAGE SOURCE نام منبع ولتاژ (V1) را وارد می کنیم.

    3): همان طور که می دانید یک دیود زنر در بایاس مستقیم کاملا همانند دیود معمولی عمل می کند و ولتاژ دو سر ان هم مانند دیودمعمولی است.ولی در بایاس معکوس هنگامی که ولتاژآند کاتد آن (VAK) به حد معینی رسید در بایاس معکوس شروع به هدیت می کند .

    از این رو برای مشاهده منحنی ولتاژ ان طبق انچه گفته شد باید ولتاژ شروع را عددی بزرگ و منفی (مثلا 45) و مقدار پایان را عددی بزرگتر از 7/0 درنظر بگیریم.

    4): با توجه به اینکه منحنی ولتاژ دیود زنر، تغییرات جریان دیود ( ID) را نسبت به ولتاژ آند کاتد(VAK) مورد بررسی قرار می دهد،پس باید خط افقی یا محور X بر حسبVAK و محور عمودی یا محورY بر حسب ID باشد .

    حال برای تعیین محورX به منظور VAK وارد مسیرPLOT ◄AXIS SETTING شده وسپس در سربرگ XAXIS گزینه AXIS VARIABLE رازده در پنجره X AXIS VARIBLE ولتاژ آند کاتد را بصورت فورمول روبرو تایپ کرده وOK می کنیم.(شکل صفحه بعد) V(D1:A)-V(D1:K) حال برای تعیین محورX به منظور VAK وارد مسیرPLOT ◄AXIS SETTING شده وسپس در سربرگ XAXIS گزینه AXIS VARIABLE رازده در پنجره X AXIS VARIBLE ولتاژ آند کاتد را بصورت فورمول روبرو تایپ کرده وOK می کنیم.(شکل صفحه بعد) V(D1:A)-V(D1:K) 5): در این مرحله برای اعمال ID بر محورY روی گزینه ADD TRACE کلیک کرده وگزینهID1 را انتخاب ودر نهایت OKمیکنیم .

    منحنی ولتاژ دیود 1N4001 :هدف از این ازمایش به دست اوردن مقدار ولتاژ سوختن دیود است برای این کار دیود را به صورت مدار زیر می بندیم .

    برای به دست اوردن منحنی این دیود کافی است مراحل مربوط به دیود زنر را انجام داد.

    با این تفاوت که ولتاژ سوختنVBR در حد بیشتری است (75-) که برای واضع بودن بهتر است مقدار(100 -) منظور شود مقدار ولتاژVBR در صفحه بعد نشان داده شده است .

    لازم به یاداوری است که در بعضی مواقع اندیس1 به جای اند(A) و اندیس 2 به جای کاتد(K) به کار می رود.

    V(D1:A)-V(D1:K)طریقه نشان دادن کار عملی (5) : توضیحی مختصر در موردآنالیز DC SWEEP: درOPTION این انالیز دو گزینه1):PRIMARY SWEEP (سوییپ اولیه) و گزینه2):SECONDARY SWEEP (سوییپ ثانویه) وجود دارد که در حالت پیشفرض گزینه SECONDARY SWEEP غیرفعال است واین گزینه برای مداراتی است که بخواهیم تغیرات یک منبع را مورد برسی قرار دهیم .

    SWEEP VARIABLE:د ر این قسمت گزینهای 1):VOLTAGE SOURCE وCURENT SOURCE وجود دارد که VOLTAGE SOURCEتغیرات منبع ولتاژ مد نظر را مورد بررسی قرارمی دهد که در قسمتNAME نام منبع ودر قسمتSWEEP TYPE هم تغیرات ان را وارد می کنیم وگزینه CURENT SOURCE هم تغیرات منبع جریان را مورد بررسی قرار می دهد وسایر گزینه ها مثل بالا است.

    چگونگی اعمال مقادیر منابع به وسیله ORCAD:زمانی که تنها سوییپPRIMARY فعال است نرم افزار ORCADباتوجه به نوع منبع و مقادیر انتخابی شما به صورت زیر عمل میکند...

    1): فرض کنید منبع ما یک منبع ولتاژ است که مقدار شروع 0 ،مقدار پایان 10،ود قت ان 1 است وچیزی که الان می خواهیم مشخص کنیم منحنی مشخصه ورودی است...

    1): ابتدا ORCAD باید ولتاژVBE وIB را به ازای مقدار شروع منبع مورد نظر ما(0) به دست اورده ونقطه مورد نظر را بروی صفحه مختصات ترسیم کند 2): سپس به اندازه دقت انتخابی ما به مقدار شروع اضافه کرده ومرحله 1 را دوباره انجام می دهد تا زمانی که به مقدار پایانی برسد ودر نهایت 3): نقاط به دست امده را به هم وصل میکند ولی چنانچه علاوه برPRIMARY SWEP گزینهSECONDARY SWEEP هم فعال باشد نرم افزارORCAD به صورت زیر عمل می کند .فرض کنید مقدارPRIMARY SWEEP مثل قبل باشد ومقادیرSECONDARY SWEEP هم به صورت زیر باشد شروع0 ، پایانµ 80 و دقت ان µ 20 است ومنحنی مشخصه خروجی مد نظر باشد 1): برنامهORCAD ابتدا مراحل قبل را برای به دست اوردن ولتاژ کلکتور امیتر وجریان کلکتور باتوجه به مقادیر انتخابیPRIMARY SWEEP انجام می دهد 3): چون در اینجا انالیز مدار به ازای تغیرات دو منبع می باشد بنابر این اولین منحنی رسم شده به ازای مفدار شروع منبع دوم میباشد.4): در مرحله بعد ORCADهمان مراحل را برای منبع جریانی که در قسمتSECONDARY SWEEP مشخص کرده ایم تکرار می کند واز مقدار شروع (0) به دقت µ 20شروع به دست اوردن نقاطی کرده تا به مقدار پایان µ80 برسد ودر نهایت با وصل نقاط، منحنی را به دست می اورد.

    منحنی مشخصه ورودی ترانزیستورBJT : مراحل کار1): ابتدا مدار روبرو را رسم می کنیم 2 ): بعداز ساخت یک انالیز جدید نوع انالیز راDC SWEEP انتخاب می کنیم3): در قسمت SWEEP VARIABLE نام منبع جریان را تایپ می کنیم ودر قسمتSWEEP TYPE مقادیر را به درستی انتخاب می کنیم(مثلا شروع 0،پایان µ80 ودقت µ1) 4): در مرحله بعد دکمهOK را زده و مدار را RUN می کنیم .5 ): از منویPLOT وارد گزینهAXIST VARIABLE شده ودکمهAXIST VARIABLE را می زنیم .

    در این قسمت باید نوع کمیتی که در محورX مورد برسی قرار می گیرد (یعنی ولتاژبیس امیترVBE) را وارد کنیم .پس ان را به صورت (ve - vb ) وارد کرده وOK می کنیم .سپس به منظور وارد کردن محور Y از منویTRACE ،گزینهADD TRACE را انتخاب می کنیم .

    در این قسمت باید کمیت محور y را وارد کنیم (Ib )پس Ib را انتخاب می کنیم ومنحنی را میبینیم .

    منحنی نشان داده شده به ازای مقدار منبع DC ضرورت است وبرای دیدن منحنی واقعی در هنگام کار باید به ان مقدار بدهیم برای این کار می توان 1 )از روی خود مدار به منبع مقدار داد 2 )وارد انالیز DC SWEEP شده وscondary sweep را انتخاب کرده ونام منبع ولتاژ را وارد کرده ودر قسمت sweep type هم مقادیری را برای ان انتخاب می کنیم (شروع 10 پایان 10 دقت 0 ) باید توجه داشت که منحنی ورودی تغییرات IB به تغییراتVBE به ازایVCEثابت است از این رو باید مقدار شروع وپایان یکی باشد ومقدار دقت هم (0 ) باشد تا فقط یکی منحنی رسم کند .

    منحنی مشخصه انتقالی ترانزیستور BJT: مراحل کار :بعد از رسم مدار روبرو وارد انالیزDC SWEEP شده و در قسمتPRIMARY SWEEP منبع جریان را انتخاب میکنیم بعد وارد SECONDARY SWEEP شده ومنبع ولتاژ انتخاب می کنیم در قسمتSWEEP TYPE هم با توجه به این که مقدارVCE باید ثابت باشد اعداد مناسب را به ازایVCE=15 ثابت وارد می کنیم مثلا( شروع 15 ، پایان 15 ، ودقت 0)بعد از اجرای وارد گزینهPLOT شده ومحورX را بر حسبIB تعیین کرده ودر قسمت TRACE هم جریان کلکتور(IC) را برای محور y تعیین می کنیم از این منحنی می توانیم β را از فورمول زیر به دست اوریم.

    β =IC/IB هرچه مقدار ولتاژکلکتور بیشتر شود β بیشتر شده و حساسیت به دما کاهش میابد منحنی مشخصه خروجی ترانزیستور BJT : مراحل کار: این منحنی مشخصه برابراست با رابطه ولتاژ خروجی وجریان خروجی به ازای جریان B ثابت برای به دست اوردن این منحنی بعداز وارد شدن به انالیزDC SWEEP شده ودر قسمتPRIMARY SWEEP منبع ولتاژ را در نظر می گیریم ورنج تغییرات ان را عددی مورد نظر می گیریم ودر قسمتSECONDARY SWEEP هم نام منبع جریان را وارد می کنیم ودر قسمت مقادیر عدد مناسب را وارد می کنیم لازم به یاداوری است که مقادیر IB خیلی کم است سپس بعد از اجرای محور X را مقدار VCE انتخاب می کنیم( VC –VB )ومحور Yرا هم IC در نظر می گیریم .

    نکته :چنانچه بخواهیم منحنی خروجی به ازای 4تا نمودار IB باشد 40/ µ 80کرده ومقدار دقت µ 20 می شود.

    تمرین1:بتای ترانزیستور Q2N6039 را از طریق منحنی انتقالی به دست اورید؟

    تمری2:بتای ترانزیستورBC107A را از طریق منحنی انتقالی به دست اورید؟

    منحنی مشخصه انتقالی ترانزیستور JFET : در این منحنی تغییرات جریان درین بر حسب ولتاژ گیت سورس به دست می اید این ترانزیستور از نوع N کانال است وچون ولتاژ منفی به گیت وصل است منحنی انتقالی در سمت ولتاژ منفی است .

    مراحل کار: 1): ابتدا مدار روبرو را رسم می کنیم 2): چون تغییرات منبع ولتاژ گیت سورس مد نظر است بنابراین در انالیز DC SWEEP◄ PRIMARY SWEEP نوع منبع اول را ولتاژ V1قرار می دهیم ودر قسمتSWEEP TYPE هم، مقادیر را به درستی انتخاب می کنیم 3): در این مرحله واردSECONDARY SWEEP شده(برای اعمال ID نمودار) منبع V2که تامین کننده ID است را در قسمت NAME نوشته ودر SWEEPTYPEنیز عددی درست وارد میکنیم مثلا( شروع 10 ، پایان 10 ودقت 01/) باید توجه داشت که مقدار شروع وپایان باید یکی باشد تا فقط یک نمودار نشان دهد ودر نهایت RUN می کنیم.

    VP: هنگامی که IDمساوی با صفر شود به ان مقدار ولتاژ VP گویند و درORCA با VTO نشان داده می شود ID=IDSS(1-VGS/VD) .

    منحنی مشخصه ترانزیستور JFET :از انجا که این منحنی مشخصه بیان کننده ولتاژخروجی(VDS) در ارایش سورس مشترک برحسب جریان خروجیID) )میباشد و همچنین به ازای ولتاژ های مختلف گیت سورسVGS) )جریان های مختلف برای درین خواهیم داشت لذا در انالیزDC SWEEP بایدازهردو قسمتPRIMARYSWEEP وSECONDARYSWEEP استفاده کنیم که سوییپ PRIMARY که تعیین کننده ولتاژ درین سورس وسوییپSECONDARY تعیین کننده ولتاژ گیت سورس VGS است لازم به ذکر است که در قسمتINCREMNT میتوان تعداد نمودار ها به ازای ولتاژگیت سورس تعییین کرده مثلا شروع 0 ، پایان 3 ،ودقت 1باشد ،3نمودار می کشد.

    دستور کار1:TEST15 ترانزیستور 2N3819 را در مدار قرار داده ومنحنی مشخصه خروجی به ازای چهار مقدار مختلف VGS با مقیاس مناسب رسم کنید ؟

    توضیح: همانطور که از منحنی سمت چپ ، مشخص است این منحنی در ولتاژهای (از پایین به بالا) ,VGS=-2 , VGS=-3 VGS=-1 VGS=0, رسم شده است.

    دستور کار: TEST16 منحنی مشخصه ترانزیستور BF245A را هم دست اورده و ان را با ترانزیستور 2N3819 مقایسه کنید؟

    توضیح: همانطور که از منحنی سمت چپ ، مشخص است این منحنی در ولتاژهای (از پایین به بالا) ,VGS=-1.003 , VGS=-1.409 VGS=-.014925 رسم شده است.

    تفاوت این دو ترانزیستور در این است که1): VGS ترانزیستور BF245A نسبت به ترانزیستور 2N3819 کمتر است.2):ID(جریان درین) ترانزستور2N3819 بیشتر از BF245A است.

    آنالیز AC SWEEP /NOISE :از این انالیز برای مشاهده پاسخ فرکانسی فیلتر ها وتقویت کننده ها استفاده میشود.

    1):رسم مدار در محیط ORCAD(جهت رسم مدار باید از منابع ACاستفاده شود که در اینجا از منبع VACاز کتابخانه SOURCE استفاده می کنیم ) 2 ):وصل پراب به ولتاژ خروحی مدار3) انتخاب انالیز AC SWEEP NOISE در قسمتANALISIS TYPE 4):در قسمت AC SWEEP TYPE مقدار START را نمی توان 0قرار داد و مقدار پایانی را طوری انتخاب می کنیم که منحنی به خوبی دیده شود 5): باید توجه نمود که در این قسمت دیگر انالیز نباید در قسمتLINER قرار گیرد بنا بر این حالت LOGARITMIC را انتخاب می کنیم 6): در مرحله بعد بعد از OK کردن، انالیز مدار را اجرا میکنیم 7) برای به دست اوردن فرکانس قطع باید از روی منحنی مقدار .707ولتاژ ماکزیمم .707VM را پیدا کرده و فرکانس ان نقطه را به دست می آوریم.

    آنالیز دیجیتال: در دیجیتال با دو سطر0و1 منطقی سرو کار داریم که معادل 0و5 ولت است برای اعمال این سنملها از جایی که زمین انتخاب کردیم گزینهLO=(0) و HI=(1) را انتخاب می کنیم .از این منابع جهت اعمال ولتاژ به پایه های دروازه های منطقی یا ICها استفاده می شود.

    همچنین جهت اعمال پالس (CK) به ورودیCLOCK ،ای سی ها ،از منبع DIG CLOCK که در کتابخانه SOURCE موجود است استفاده می شود بعداز رسم مدار منطقی برای انالیز مدار مراحل زیر انجا م میشود 1): انتخاب نام برای انالیز 2 ): انالیز TIMEرا انتخاب کرده وبا توجه به فرکانسDIG CLOCK زمانی را انتخاب می کنیم3 ):از طریق سر برگOPTION گزینه GATE-LEVEL SIMULATION انتخاب کرده ودر پایین صفحه در قسمتINITIALIZE ALL FLIP-LOPS TO: (اعمال ولتاژ به مدارات منطقی)گزینه1 را جایگزینX می کنیم وبعد از OK کردن از صفه خارج میشویم 4):در مرحله اخر پراب ولتاژ را در محل مورد نظر،مثل ورودی ها و خروجی ها قرار داده وRUN می کنیم.

    در مورد گزینه های قطعه DIG CLOCK: OFF TIME: مدت زمان پایین بودن ولتاژ ON TIME: مدت زمان بالا بودن ولتاژ DELAY: مدت زمان تاخیر شروع START VAL OPP VAL *لازم به یاداوری است کتابخانه 7400 برای انواع ای سی ها است.

    دستور کار: نرم افزار AUTO CAD: این نرم افزار برای طراحی مورد استفاده قرار می گیرد.وامروزه در زمره مدارات عمومی قرار گرفته است.از طراحان مدارات الکتریکی گرفته تا طراحان نقوش فرش این نرم افزار را به کار می برند و از ان در طراحی نقشه های توپوگرافی و زمین شناسی گرفته تا رسم اشکال کتابهای درسی استفاده می شود.

    بعضی از فرمانهای AUTO CAD: SAVEکردن به صورت اتوماتیک:برای این کار مسیر روبرو را اعمال کنید TOOLS ◄OPTION◄ سربرگ OPEN AND SAVE◄ سربرگ FILE SAFETY به منظور تنظیم AUTO CADدر اینکه در چه زوایایی قفل کند:در اینجا منظور این است که AUTOCAD برای ترسیم ،در درجه های مختلف، با توجه به زاویه ای که در مسیر زیر به ان می دهیم قفل کند.

    TOOLS◄DRAFTING SETTING◄سربرگPLOR TRACKING◄قسمت INCREMENT… پاک کردن ،به صورت غیر پیوسته: چنانچه یک خط یا شکلی را به طور پیوسته کشیدیم وخواستیم که مقداری از ان را پاک کنیم از دستور منوی MODIFY◄BREAK استفاده می کنیم بعد از اجرای این دستور ابتدا مبدا را مشخص می کنیم سپس موس را به مقصد برده و در انجا هم کلیک می کنیم.

    به منظور نوشتن:برای این کار روی A در در نوار سمت چپ صفحه اصلی کلیک می کنیم،سپس کادری باز می شود ومطلب مان را در ان می نویسیم به منظور هاشور زدن:به منظور هاشور زدن یک منطقه یا یک شکل مسیر زیر را طی می کنیم منویDRAW ◄HATCH پنجره HATCH AND GRADIENT باز می شود.

    در قسمت PATTERN میتوانیم نوع هاشور راتعیین کنیم.سپس با زدن گزینه PICK POINT(به منظور انتخاب یک ناحیه بسنه) از این صفحه خارج می شویم سپس موسرا در داخل ان صفحه بسته که میخواهیم هاشور بزنیم برده و یک بار کلیک چپ می کنیم تا انتخاب شود، سپس کلیک راست کرده وگزینه ENTERراانتخاب و در نهایت OK می کنیم.

    ایجاد بلوک:یک بلوک مجموعه ای از موضوعات مختلف است که با تعریف انها به صورت یک بلوک،همگی در قالب یک موضوع در می اید.

    برای ساختن ک بلوک مسیر روبرو را طی می کنیم...منویDRAW ◄ BLOCK ◄MAKE پنجره BLOCKDIFIN...

    باز می شود.

    در قسمت NAME نام بلوک وارد کرده و گزینه CONVERT TO BLOCK(به معنای تبدیل کردن به بلوک) را انتخاب کرده و از صفحه خارج می شویم در اینجا انچه را که می خواهیم به عنوان بلوک انتخاب کنیم،انتخاب کرده وکلیک راست موس را زده و گزینه ENTERراانتخاب کرده ودر نهایت OK میکنیم برای اوردن بلوکی که ساخته ایم از مسیر روبرو ان را انتخاب می کنیم.

    منویINSERT ◄BLOCK فیلتر پایین گذر از نوعRLفیلتر بالا گذر از نوعRLفیلتر پایین گذر از نوعRCفیلتر بالا گذر از نوعRCفیلتر میان گذرRLCفیلترمیان نگذرRLC

  • فهرست:

    ندارد.


    منبع:

    ندارد.
     

شهر الکترونيک يک اختراع و يا يک پيشنهاد نوآورانه نيست بلکه واقعيتي است که بر اساس نياز جاي خود را باز مي‌کند اگر امروز چشم خود را بر نياز ببنديم فردا بايد با پرداخت هزينه بيشتر قدم در اجراي آن بگذاريم شهر الکترونيک چيست؟ شهر الکترون

نانوتکنولوژی چیست؟ کامپیوتر ها اطلاعات را تقریبا" بدون صرف هیچ هزینهأی باز تولید مینمایند. اقداماتی در دست اجراست تا دستگاههایی ساخته شوند که تقریبا" بدون هزینه - شبیه عمل بیتها در کامپیوتر - اتمها را به صورت مجزا بهم اضافه کنند ( کنار هم قرار دهند). این امر ساختن اتوماتیک محصولات را بدون نیروی کار سنتی همانند عمل کپی در ماشینهای زیراکس میسر میکند. صنعت الکترونیک با روند کوچک ...

پنج سال وقت صرف ويندوز ويستا شد، خطوطي از کد که براي چندين بار پوشاندن کره خاکي کافي است، هزاران ساعت از وقت توسعه‌دهندگان و برنامه‌نويسان که براي نگهداري و بررسي همه آنها به يک سوپرکامپيوتر نياز داشتند – و سرانجام ويندوز ويستا (Vista) ارائه شد. و

واحد کنترل تلويزيون از راه دور (RCU) کنترل از راه دور بخشي از دستگاه هاي الکترونيک، معمولا مجموعه اي از تلويزيون، دي وي دي پلير و سيستم هاي سينماي خانگي در اصل براي کار با دستگاه تلويزيون بي سيم از يک فاصله کوتاه خط چشم استفاده مي شود. کنترل از راه

نانوتکنولوژی چیست؟ نانوتکنولوژی تولید کارآمد مواد و دستگاهها و سیستمها با کنترل ماده در مقیاس طولی نانومتر، و بهره برداری از خواص و پدیده های نوظهوری است که در مقیاس نانو توسعه یافته اند. یک نانومتر چقدر است؟ یک نانومتر یک میلیاردم متر (9-m 10) است. این مقدار حدوداً چهار برابر قطر یک اتم است. مکعبی با ابعاد 5/2 نانومتر ممکن است حدود 1000 اتم را شامل شود. کوچکترین IC های امروزی ...

نانو تکنولوژی، فناوری نوین نانو تکنولوژی فناوری جدیدی است که تمام دنیا را فراگرفته است و به تعبیر دقیقتر "نانو تکنولوژی بخشی از آینده نیست بلکه همه آینده است ".در این مقاله بعد از تعریف نانو به بیان دلایل کاربرد ها و ضرورتهای توجه به این فناوری اشاره شده است . تعریف نانو تکنولوژی نانو تکنولوژی،توانمندی تولید مواد،ابزار ها و سیستمهای جدید با در دست گرفتن کنترل در سطح مولکولی و ...

نانوتکنولوژی مقدمه دل هر ذره را که بشکافی آفتابیش در میان بینی که یکی هست و نیست جز او وحده و لا اله الا هو بشر برای رسیدن به کمال راههای مختلفی را تجربه کرده و می کند و هر راه رسیدن را نامی داده و از آن جمله است:علوم طبیعی،علم ماوراءالطبیعه و ... اگر باور داشته باشیم هر ذره که خلق شده رسیدن به کمال را بزرگترین هدف خود قرار داده است پس علوم مختلف یاد شده در پی جستجوی کمال هستند ...

آزمايش شماره ي 1 Orcadآشنائي با نرم افزار درزمينه الکترونيک به کارمي رودکه سه کارمهمي راکه انجام مي دهدعبارتOrcadنرم افزار انداز: 1- رسم شماي ظاهري مدار 2- تحليل مدارات الکترونيکي 3- طراحي پشت فيبرمدارات الکترونيکي : Orcad درCaptureبررسي قا

در دنياي امروز که ارتباطات جزء لاينفک زندگي بشري شده است،وفضاي مجازي فاصله هاي ميليون کيلومتري بين افراد را از ميان برداشته است،برخي مشکلات مثل اختلالات ارتباطي وويروسهاي اينترنتي اختلالاتي را در اين فضا ايجاد نموده ومانع از جابجايي بهينه ي اطلاعات

نانوتکنولوژی، فناوری جدید است که تمام دنیا را فرا گرفته است و به تعبیر دقیقتر "نانوتکنولوژی بخشی از آینده نیست بکله همه آینده است" . در این نوشتار بعد از تعریف نانوتکنولوژی و بیان کاربردهای آن دلایل و ضرورتهای توجه به این فناوری آورده شده است: تعریف نانوتکنولوژی و آشنایی با آن نانوتکنولوژی، توانمندی تولید مواد، ابزارها و سیستمهای جدید با در دست گرفتن کنترل در سطوح ملکولی و اتمی ...

ثبت سفارش
تعداد
عنوان محصول