دانلود تحقیق کاربرد رایانه در برق

Word 95 KB 5078 17
مشخص نشده مشخص نشده کامپیوتر - IT
قیمت قدیم:۱۶,۰۰۰ تومان
قیمت: ۱۲,۸۰۰ تومان
دانلود فایل
  • بخشی از محتوا
  • وضعیت فهرست و منابع
  • در مدارهای زیر الف) پتانسیل گره ها ب) جریان شاخه ها ج) توان هر یک از عناصر را بدست آورید. ابتدا برنامه را اجرا کرده وقتی محیط برای کار آماده شد مدار را رسم می کنیم. برای ترسیم مدار از کتابخانه Analog المان R (مقاومت را در محیط ترسیم قرار می دهیم و بعد از آن در همین کتابخانه منبع جریان وابسته به جریان F را در محیط کار قرار می دهیم و در کتابخانه Source که مربوط به منابع می باشد منبع ولتاژ DC به نام VDC را در مدار قرار می دهیم و بعد از آن با استفاده از Place wire مدار را رسم می کنیم و زمین را که با نام  O/Source مشخص شده است در جای خود قرار داده و برای تغییر مقدار مقاومت و مقدار منبع با دبل کلیک کردن روی مقدار پیش فرض آن مقدار مورد نیاز را واردمی نماییم و برای تعیین ضریب وابستگی منابع وابسته با دبل کلیک کردن بر روی آنها در قسمت Gain ضریب وابستگی را مشخص می کنیم و سپس خارج می شویم و بعد از ترسیم باید آن را آنالیز می کنیم.

    بعد از آن وارد قسمت محیط آنالیز می شویم و در قسمت Analyses type نوع آنالیز را مشخص می کنیم

    و بعد از آن گزینه Run را اجرا می کنیم ومی توان ولتاژ جریان و توان راباانتخاب گزینه های V و I و W مشاهده نمود.

    1 پتانسیل گره ها

    2 جریان شاخه ها

    3 توان عناصر

    مدار شماره 2

    بعد از اجرای برنامه هنگامی که محیط برای کار آمداه شد مدار را رسم کرده

    پتانسیل گره ها جریان شاخه ها

    توان عناصر

    آنالیز در حوزه زمان Time domain :

    توسط این آنالیز می توان پتانسیل گره ها، جریان هر المان و توان المان را توسط شکل موج ملاحظه کرد ترانزیستور

    در مدار شکل زیر توسط آنالیز Bias point نقطه کار شامل IB، IE، IC، VBC و VCE را بدست آورید. سپس مدار را در حوزه زمان آنالیز نموده و موارد خواسته شده را اندازه گیری کنید.

    برای ترسیم مدار از کتابخانه Analog مقاومت R و خازن C-elect و از کتابخانه Source منبع ولتاژ سینوسی (VSIN) ترانزیستور Q2N2219 و از کتابخانه Bipolar انتخاب کرده و در محیط کار قرار می دهیم و سپس توسط گزینه Place wire مدار را ترسیم می کنیم و زمین را که به نام O/Source مشخص شده است در جای مناسب قرار می دهیم و ظرفیت مقاومت ها و خازن ها را با دابل کلیک کردن بر روی مقدار ظرفیتی که از پیش انتخاب شده است مقدار ظرفیت مورد نیاز را وارد می کنیم و برای منبع ولتاژ سینوسی مقدار Freq=1K,VAMPL=10mv,Voff=0 را با دابل کلیک کردن روی آنها مقدار لازم را وارد می کنیم و با استفاده از (Vin) Place Netaliul و (Voo) در روی مدار مشخص می کنیم.

    بعد از آن گزینه New Simulation Profile را در بالای صفحه انتخاب کرده و سپس نامی را برای آنالیز انتخاب می کنیم.

    و وارد محیط آنالیز می شویم و نوع آنالیز را Bias Point انتخاب کرده و OK را می زنیم. و سپس Run را اجرا می کنیم و با انتخاب این گزینه  در بالای صفحه VCE و VBE را بدست می آوریم. و سپس با فعال کردن گزینه I جریان IB و IC و IE را بدست می آوریم.

    سپس مدار را در حوزه زمان آنالیز می کنیم و موارد زیر را بدست می آوریم.

    1 IB و IC و IE 2 شکل موج ورودی با اندازه 3 شکل موج خروجی با اندازه 4 محاسبه ضریب تقویت ولتاژ 5 محاسبه مقاومت خروجی تقویت کننده 6 ضریب تقویت جریان 7 مقاومت ورودی تقویت کننده برای آنالیز در حوزه زمان ابتدا نامی را برای آنالیز انتخاب می کنیم.

    سپس نوع آنالیز را Time Domain انتخاب می کنیم و سپس مقدار مطلوب را برای Run to Time و Maximum Step Size انتخاب می کنیم و OK را می زنیم.

    1 برای بدست آوردن جریان پایه بیس IB کرسر جریان را بروی پایه بیس قرار می دهیم و مدار را Run می کنیم. 2 برای بدست آوردن جریان پایه امیتر IE کرسر جریان را را روی پایه امیتر قرار داده و مدار را Run می کنیم. 3 برای بدست آوردن جریان پایه کلکتور IC کرسر جریان را روی پایه کلکتور قرار داده و مدار را Run می کنیم.

    4 شکل موج ورودی با اندازه کرسر ولتاژ را در قسمت ورودی مدار Vin قرار داده و مدار را Run می کنیم.

    5 برای رسم شکل موج خروجی با اندازه کرسر ولتاژ را در قسمت خروجی مدار Voo قرار داده و مدار را Run می کنیم.

    6 برای محاسبه ضریب تقویت ولتاژ باید ولتاژ خروجی را تقسیم بر ولتاژ ورودی کرد.

    7 مقاومت خروجی تقویت کننده را با استفاده از رابطه زیر بدست می آوریم.

    با وارد کردن RL=1000meG مقدار  Vooرا بدست می آوریم.

    ضریب تقویت جریان برابر است با

    Io برابر است با

    Ii برابر است با

    مقاومت روی تقویت کننده برابر است با

     

    آنالیز DC Sweep

    دیود معمولی

    مدار را رسم نموده و منحنی مشخصه دیود را با استفاده از آنالیز DC Sweep بدست می آوریم. بعد از اجرای برنامه مدار را ترسیم می کنیم و برای ترسیم مدار از کتابخانه Analog مقاومت و از کتابخانه Diode دیود 1N4376 و از کتابخانه Source منبع VSC را انتخاب نموده و توسط گزینه Place wire مدار را ترسیم می کنیم و برای تعیین ظرفیت مقاومت با دابل کلیک کردن روی مقدار پیش فرض مقدار جدید را وارد می کنیم و در منبع VSRC مقدار DC را 1.V انتخاب می کنیم. سپس زمین را با نام O/Source در جای مناسب می گذاریم و توسط گزینه Place net alias، (AA) آند و (KK) کاتد دیود را مشخص می کنیم.

    و بعد از آن توسط گزینه New Simulation Profile مدار را آنالیز کرده در ابتدا باید نامی را برای آنالیز تعیین کنیم.

    حال وارد محیط آنالیز می شویم و نوع آنالیز را DC Sweep انتخاب می کنیم و بعد از آن در بالای صفحه نام منبع ولتاژ را می نویسیم و در ستون مربوط به Sweep Type نوع Sweep را انتخاب می کنیم و در سر ستون End Value, Start Value و Increment اعدادی مناسب قرار می دهیم و گزینه OK را انتخاب می کنیم.

    حال مدار را Run می کنیم و اگر Error نداد ادامه کار را انجام می دهیم. حال می بینیم که محور افقی ولتاژ منبع است و هیچ گونه منحنی را ما نمی بینیم. پس باید محور افقی را به اختلاف پتانسیل آند (A) و کاتد (K) تغییر داد پس به صورت زیر عمل می کنیم. از طریق منوی Plot گزینه Axis Setting را انتخاب می کنیم که پنجره باز شده که به صورت پیش فرض محور Xها انتخاب شده است. پس گزینه Axis Variable را انتخاب می کنیم. بعد از آن وارد صفحه ای می شویم که در آنجا اختلاف پتانسیل آند و کاتد را واردمی کنیم.() با تأیید آن محور افقی بر تغییر می کند.

    و بعد از آن باید محور عمودی جریان عبوری از دیود را به ما نشان دهد. پس به صورت زیر عمل می کنیم. از طریق گزینه Truce گزینه Add Truce را فعال نموده سپس جریان ID را انتخاب و آن را تأیید می کنیم.

    با تأیید آن منحنی مشخص دیود را می بینیم.حال اگر بخواهیم مشخصه دیود را ببینیم در محیطی که منحنی مشخصه دیودوجود داردگزینهView Simulation Output File را انتخاب می کنیم.

  • فهرست:

    ندارد.


    منبع:

    ندارد.
     

مقدمه یک عنصر هال از لایه نازکی ماده هادی با اتصالات خروجی عمود بر مسیر شارش جریان ساخته شده است وقتی این عنصر تحت یک میدان مغناطیسی قرار می گیرد، ولتاژ خروجی متناسب با قدرت میدان مغناطیسی تولید می کند. این ولتاژ بسیار کوچک و در حدود میکرو ولت است. بنابراین استفاده از مدارات بهسازی ضروری است. اگر چه سنسور اثرهال، سنسور میدان مغناطیسی است ولی می تواند به عنوان جزء اصلی در بسیاری ...

ربات چیست؟ ربات یک ماشین هوشمند است که قادر است در شرایط خاصی که در آن قرار می گیرد، کار تعریف شده ای را انجام دهد و همچنین قابلیت تصمیم گیری در شرایط مختلف را نیز ممکن است داشته باشد. با این تعریف می توان گفت ربات ها برای کارهای مختلفی می توانند تعریف و ساخته شوند.مانند کارهایی که انجام آن برای انسان غیرممکن یا دشوار باشد. برای مثال در قسمت مونتاژ یک کارخانه اتومبیل سازی، قسمتی ...

چکیده استفاده از شبکه های کامپیوتری در چندین سال اخیر رشد فراوانی کرده وسازمانها وموسسات اقدام به برپایی شبکه نموده اند . هر شبکه کامپیوتری باید با توجه به شرایط وسیاست های هر سازمان ، طراحی وپیاده سازی گردد. در واقع شبکه های کامپیوتری زیر ساخت های لازم را برای به اشتراک گذاشتن منابع در سازمان فراهم می آورند؛در صورتیکه این زیر ساختها به درستی طراحی نشوند، در زمان استفاده از شبکه ...

مقدمه یک عنصر هال از لایه نازکی ماده هادی با اتصالات خروجی عمود بر مسیر شارش جریان ساخته شده است وقتی این عنصر تحت یک میدان مغناطیسی قرار می گیرد، ولتاژ خروجی متناسب با قدرت میدان مغناطیسی تولید می کند. این ولتاژ بسیار کوچک و در حدود میکرو ولت است. بنابراین استفاده از مدارات بهسازی ضروری است. اگر چه سنسور اثرهال، سنسور میدان مغناطیسی است ولی می تواند به عنوان جزء اصلی در بسیاری ...

چکیده استفاده از شبکه های کامپیوتری در چندین سال اخیر رشد فراوانی کرده وسازمانها وموسسات اقدام به برپایی شبکه نموده اند . هر شبکه کامپیوتری باید با توجه به شرایط وسیاست های هر سازمان ، طراحی وپیاده سازی گردد. در واقع شبکه های کامپیوتری زیر ساخت های لازم را برای به اشتراک گذاشتن منابع در سازمان فراهم می آورند؛در صورتیکه این زیر ساختها به درستی طراحی نشوند، در زمان استفاده از شبکه ...

توان الکتریکی که اغلب به عنوان برق یا الکتریسیته شناخته می شود، شامل تولید و ارایه انرژی الکتریکی به میزان کافی برای راه اندازی لوازم خانگی، تجهیزات اداری، دستگاه های صنعتی و فراهم آوردن انرژی کافی برای روشنایی، پخت و پز، گرمای خانگی و صنعتی و فرایندهای صنعتی بکار می رود. تاریخچه اگرچه که الکتریسته به عنوان نتیجه واکنش شیمیایی ای که در یک پیل الکترولیک از زمانی که الساندرو ولتا ...

امروزه ليزر کاربردهاي بيشماري دارد که همه زمينه هاي مختلف علمي و فني فيزيک-شيمي-زيست شناسي - الکترونيک و پزشکي را شامل مي شود. همه اين کاربردها نتيجه مستقيم همان ويژگي هاي خاص نور ليزر است ليزر چيست ؟ نور ليزر نوع کاملاً جديدي از نور است؛ درخشان

مهندسان برق سامانه‌هاي قدرت را طراحي مي‌کنند. مهندسي برق دانش تحليل و بررسي رياضي پديده‌هايي فيزيکي است که به نحوي به بارهاي الکتريکي و حرکت و آثار آن‌ها (از قبيل جريان الکتريکي، پتانسيل الکتريکي، ميدان الکتريکي، ميدان مغناطيسي، موج الکترومغناطي

تولید ماورای صوت مقدمه علم صوت به معنی وسیع کلمه تولید ، تراگسیل و دریافت انرژی بصورت ارتعاش در ماده است. اگر اتمها و مولکولهای شاره یا جامد از اوضاع طبیعی خود تغییر مکان یابند، نیروی الاستیک در آن پدید می‌گردد، که مربوط به سختی جسم است و می‌خواهد جسم را به حالت نخست باز گرداند، این را نیروی برگرداننده گویند. تأثیر این نیروی الاستیک برگرداننده توأم با خاصیت اینرسی دستگاه ، ماده ...

رله ها حفاظت تجهیزات و دستگاه های سیستم قدرت در مقابل عیوب و اتصالیها ، به وسیله کلید قدرت انجام می گیرد قبل از اینکه کلید قدرت بتواند باز شود ، سیم پیچی عمل کننده آن باید تغذیه شود این تغذیه به وسیله رله های حفاظتی انجام می پذیرد . رله به دستگاهی گفته می شود که در اثر تغییر کمیت الکتریکی مانند ولت و جریان و یا کمیت فیزیکی مثل درجه حرارت و حرکت روغن ( در رله بوخهولس ) تحریک شده ...

ثبت سفارش
تعداد
عنوان محصول